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Fine tuning epitaxial strain in ferroelectrics: PbxSr(1-x)TiO3 on DyScO3

机译:精细调制铁电体中的外延应变:DyscO3上的pbxsr(1-x)TiO3

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摘要

Epitaxial strain can be used to modify the properties of ferroelectric thinfilms. From the experimental viewpoint, the challenge is to fine-tune themagnitude of the strain. We illustrate how, by using a suitable combination ofcomposition and substrate, the magnitude of the epitaxial strain can becontrolled in a continuous manner. The phase diagram of PbxSr1-xTiO3 filmsgrown epitaxially on (110)-DyScO3 is calculated using a Devonshire-Landauapproach. A boundary between in-plane and out-of-plane oriented ferroelectricphases is predicted to take place at $x \approx$ 0.8. A series of PbxSr1-xTiO3films grown by MBE show good agreement with the proposed phase diagram
机译:外延应变可用于改变铁电薄膜的性能。从实验的角度来看,挑战在于微调应变的幅度。我们说明了如何通过使用适当的组合物和基材的组合,以连续的方式控制外延应变的大小。使用Devonshire-Landauapproach计算了在(110)-DyScO3上外延生长的PbxSr1-xTiO3薄膜的相图。平面内和平面外铁电相之间的边界预计在$ x \约0.8。 MBE生长的一系列PbxSr1-xTiO3薄膜与所提出的相图显示出良好的一致性

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